கம்பியில்லா சாதனங்களின் அதிகரித்து வரும் பிரபலத்தினால், தரவுச் சேவைகள் அதிவேக வளர்ச்சியின் ஒரு புதிய காலகட்டத்திற்குள் நுழைந்துள்ளன, இது தரவுச் சேவைகளின் அதிவேக வளர்ச்சி என்றும் அழைக்கப்படுகிறது. தற்போது, ஏராளமான பயன்பாடுகள் கணினிகளிலிருந்து, எளிதில் எடுத்துச் செல்லக்கூடிய மற்றும் நிகழ்நேரத்தில் இயக்கக்கூடிய கைபேசிகள் போன்ற கம்பியில்லா சாதனங்களுக்குப் படிப்படியாக இடம்பெயர்ந்து வருகின்றன. ஆனால், இந்த நிலைமை தரவுப் போக்குவரத்தில் விரைவான அதிகரிப்புக்கும் அலைவரிசை வளங்களின் பற்றாக்குறைக்கும் வழிவகுத்துள்ளது. புள்ளிவிவரங்களின்படி, அடுத்த 10 முதல் 15 ஆண்டுகளில் சந்தையில் தரவு விகிதம் Gbps அல்லது Tbps-ஐ எட்டக்கூடும். தற்போது, THz தகவல் தொடர்பு Gbps தரவு விகிதத்தை எட்டியுள்ளது, அதேசமயம் Tbps தரவு விகிதம் இன்னும் வளர்ச்சியின் ஆரம்ப கட்டங்களிலேயே உள்ளது. இது தொடர்பான ஒரு ஆய்வறிக்கை, THz அலைவரிசையை அடிப்படையாகக் கொண்ட Gbps தரவு விகிதங்களில் ஏற்பட்டுள்ள சமீபத்திய முன்னேற்றங்களைப் பட்டியலிடுகிறது மற்றும் துருவமுனைப்பு பன்முகப்படுத்தல் (polarization multiplexing) மூலம் Tbps-ஐப் பெற முடியும் என்று கணிக்கிறது. எனவே, தரவு பரிமாற்ற விகிதத்தை அதிகரிக்க, மைக்ரோ அலைகளுக்கும் அகச்சிவப்பு ஒளிக்கும் இடையிலான "வெற்றுப் பகுதியில்" உள்ள டெராஹெர்ட்ஸ் அலைவரிசை எனப்படும் ஒரு புதிய அதிர்வெண் பட்டையை உருவாக்குவதே ஒரு சாத்தியமான தீர்வாகும். 2019-ஆம் ஆண்டு நடைபெற்ற ITU உலக வானொலித் தொடர்பு மாநாட்டில் (WRC-19), நிலையான மற்றும் தரைவழி நகரும் சேவைகளுக்காக 275-450GHz அதிர்வெண் வரம்பு பயன்படுத்தப்பட்டுள்ளது. டெராஹெர்ட்ஸ் கம்பியில்லாத் தொடர்பு அமைப்புகள் பல ஆராய்ச்சியாளர்களின் கவனத்தை ஈர்த்துள்ளன என்பது இதிலிருந்து தெரிகிறது.
டெராஹெர்ட்ஸ் மின்காந்த அலைகள் பொதுவாக 0.03-3 மிமீ அலைநீளத்துடன் கூடிய 0.1-10THz (1THz=10¹²Hz) அதிர்வெண் பட்டையாக வரையறுக்கப்படுகின்றன. IEEE தரநிலையின்படி, டெராஹெர்ட்ஸ் அலைகள் 0.3-10THz என வரையறுக்கப்பட்டுள்ளன. படம் 1, டெராஹெர்ட்ஸ் அதிர்வெண் பட்டை மைக்ரோ அலைகளுக்கும் அகச்சிவப்பு ஒளிக்கும் இடையில் இருப்பதைக் காட்டுகிறது.
படம் 1. டெராஹெர்ட்ஸ் அதிர்வெண் பட்டையின் திட்ட வரைபடம்.
டெராஹெர்ட்ஸ் ஆண்டெனாக்களின் வளர்ச்சி
டெராஹெர்ட்ஸ் ஆராய்ச்சி 19 ஆம் நூற்றாண்டில் தொடங்கப்பட்ட போதிலும், அக்காலத்தில் அது ஒரு தனித்த துறையாக ஆய்வு செய்யப்படவில்லை. டெராஹெர்ட்ஸ் கதிர்வீச்சு மீதான ஆராய்ச்சி, முக்கியமாகத் தொலை அகச்சிவப்புப் பட்டையிலேயே கவனம் செலுத்தியது. 20 ஆம் நூற்றாண்டின் நடுப்பகுதி முதல் பிற்பகுதி வரைதான், ஆராய்ச்சியாளர்கள் மில்லிமீட்டர் அலை ஆராய்ச்சியை டெராஹெர்ட்ஸ் பட்டைக்கு விரிவுபடுத்தவும், சிறப்பு வாய்ந்த டெராஹெர்ட்ஸ் தொழில்நுட்ப ஆராய்ச்சியை நடத்தவும் தொடங்கினர்.
1980-களில், டெராஹெர்ட்ஸ் கதிர்வீச்சு மூலங்களின் தோற்றம், நடைமுறை அமைப்புகளில் டெராஹெர்ட்ஸ் அலைகளின் பயன்பாட்டைச் சாத்தியமாக்கியது. 21-ஆம் நூற்றாண்டு முதல், கம்பியில்லாத் தொடர்புத் தொழில்நுட்பம் வேகமாக வளர்ந்துள்ளது. மேலும், மக்களின் தகவல் தேவையும், தகவல் தொடர்புச் சாதனங்களின் அதிகரிப்பும், தகவல் தொடர்புத் தரவுகளின் பரிமாற்ற விகிதத்தில் கடுமையான தேவைகளை முன்வைத்துள்ளன. எனவே, எதிர்காலத் தகவல் தொடர்புத் தொழில்நுட்பத்தின் சவால்களில் ஒன்று, ஒரே இடத்தில் வினாடிக்கு ஜிகாபிட்கள் என்ற உயர் தரவு விகிதத்தில் செயல்படுவதாகும். தற்போதைய பொருளாதார வளர்ச்சியின் கீழ், அலைக்கற்றை வளங்கள் பெருகிய முறையில் பற்றாக்குறையாகி வருகின்றன. இருப்பினும், தகவல் தொடர்புத் திறன் மற்றும் வேகத்திற்கான மனிதத் தேவைகள் முடிவற்றவை. அலைக்கற்றை நெரிசல் பிரச்சனைக்காக, பல நிறுவனங்கள் இடஞ்சார்ந்த பன்முகப்படுத்தல் மூலம் அலைக்கற்றை செயல்திறனையும் அமைப்புத் திறனையும் மேம்படுத்த, பல உள்ளீடு பல வெளியீடு (MIMO) தொழில்நுட்பத்தைப் பயன்படுத்துகின்றன. 5G வலையமைப்புகளின் முன்னேற்றத்துடன், ஒவ்வொரு பயனரின் தரவு இணைப்பு வேகம் Gbps-ஐத் தாண்டும், மேலும் அடிப்படை நிலையங்களின் தரவுப் போக்குவரத்தும் கணிசமாக அதிகரிக்கும். பாரம்பரிய மில்லிமீட்டர் அலைத் தகவல் தொடர்பு அமைப்புகளுக்கு, நுண்ணலை இணைப்புகளால் இந்த மாபெரும் தரவுப் பாய்ச்சல்களைக் கையாள முடியாது. மேலும், நேர்கோட்டுப் பார்வையின் தாக்கத்தால், அகச்சிவப்புத் தகவல்தொடர்பின் பரிமாற்றத் தூரம் குறைவாகவும், அதன் தகவல்தொடர்பு சாதனங்களின் இருப்பிடம் நிலையானதாகவும் உள்ளது. எனவே, மைக்ரோ அலைகளுக்கும் அகச்சிவப்புக்கும் இடைப்பட்ட டெராஹெர்ட்ஸ் (THz) அலைகளைப் பயன்படுத்தி, அதிவேகத் தகவல்தொடர்பு அமைப்புகளை உருவாக்கவும், டெராஹெர்ட்ஸ் இணைப்புகளைப் பயன்படுத்துவதன் மூலம் தரவுப் பரிமாற்ற விகிதங்களை அதிகரிக்கவும் முடியும்.
டெராஹெர்ட்ஸ் அலைகள் ஒரு பரந்த தகவல் தொடர்பு அலைவரிசையை வழங்க முடியும், மேலும் அதன் அதிர்வெண் வரம்பு மொபைல் தகவல்தொடர்புகளை விட சுமார் 1000 மடங்கு அதிகம். எனவே, அதிவேக கம்பியில்லா தகவல் தொடர்பு அமைப்புகளை உருவாக்க THz-ஐப் பயன்படுத்துவது, அதிக தரவு விகிதங்கள் என்ற சவாலுக்கு ஒரு நம்பிக்கைக்குரிய தீர்வாகும், இது பல ஆராய்ச்சிக் குழுக்கள் மற்றும் தொழில்துறைகளின் ஆர்வத்தை ஈர்த்துள்ளது. செப்டம்பர் 2017-இல், முதல் THz கம்பியில்லா தகவல் தொடர்புத் தரநிலையான IEEE 802.15.3d-2017 வெளியிடப்பட்டது, இது 252-325 GHz என்ற குறைந்த THz அதிர்வெண் வரம்பில் புள்ளிக்கு-புள்ளி தரவுப் பரிமாற்றத்தை வரையறுக்கிறது. இணைப்பின் மாற்று இயற்பியல் அடுக்கு (PHY) வெவ்வேறு அலைவரிசைகளில் 100 Gbps வரையிலான தரவு விகிதங்களை அடைய முடியும்.
0.12 THz கொண்ட முதல் வெற்றிகரமான THz தகவல் தொடர்பு அமைப்பு 2004-ஆம் ஆண்டில் நிறுவப்பட்டது, மேலும் 0.3 THz கொண்ட THz தகவல் தொடர்பு அமைப்பு 2013-ஆம் ஆண்டில் செயல்படுத்தப்பட்டது. அட்டவணை 1, 2004 முதல் 2013 வரை ஜப்பானில் டெராஹெர்ட்ஸ் தகவல் தொடர்பு அமைப்புகளின் ஆராய்ச்சி முன்னேற்றத்தைப் பட்டியலிடுகிறது.
அட்டவணை 1: 2004 முதல் 2013 வரை ஜப்பானில் டெராஹெர்ட்ஸ் தகவல் தொடர்பு அமைப்புகளின் ஆராய்ச்சி முன்னேற்றம்
2004-ல் உருவாக்கப்பட்ட ஒரு தகவல் தொடர்பு அமைப்பின் ஆன்டெனா கட்டமைப்பு, 2005-ல் நிப்பான் தந்தி மற்றும் தொலைபேசிக் கழகத்தால் (NTT) விரிவாக விவரிக்கப்பட்டது. படம் 2-ல் காட்டப்பட்டுள்ளபடி, அந்த ஆன்டெனா கட்டமைப்பு இரண்டு வகைகளில் அறிமுகப்படுத்தப்பட்டது.
படம் 2 ஜப்பானின் NTT 120 GHz கம்பியில்லாத் தொடர்பு அமைப்பின் திட்ட வரைபடம்.
இந்த அமைப்பு ஒளிமின் மாற்றி மற்றும் ஆன்டெனா ஆகியவற்றை ஒருங்கிணைத்து, இரண்டு செயல்பாட்டு முறைகளைக் கொண்டுள்ளது:
1. குறுகிய தூர உள்ளகச் சூழலில், உட்புறத்தில் பயன்படுத்தப்படும் தள அலைவாங்கி செலுத்தியானது, படம் 2(a)-வில் காட்டப்பட்டுள்ளபடி, ஒரு ஒற்றை-வரி கேரியர் ஃபோட்டோடியோடு (UTC-PD) சில்லு, ஒரு தளப் பிளவு அலைவாங்கி மற்றும் ஒரு சிலிக்கான் லென்ஸ் ஆகியவற்றைக் கொண்டுள்ளது.
2. நீண்ட தூர வெளிப்புறச் சூழலில், பெரிய பரிமாற்ற இழப்பு மற்றும் கண்டறியும் கருவியின் குறைந்த உணர்திறன் ஆகியவற்றின் தாக்கத்தை மேம்படுத்துவதற்காக, டிரான்ஸ்மிட்டர் ஆண்டெனா அதிக ஆதாயத்தைக் கொண்டிருக்க வேண்டும். தற்போதுள்ள டெராஹெர்ட்ஸ் ஆண்டெனா, 50 dBi-க்கும் அதிகமான ஆதாயத்தைக் கொண்ட ஒரு காஸியன் ஒளியியல் லென்ஸைப் பயன்படுத்துகிறது. ஃபீட் ஹார்ன் மற்றும் மின்காப்பு லென்ஸ் ஆகியவற்றின் இணைப்பு படம் 2(b)-இல் காட்டப்பட்டுள்ளது.
0.12 THz தகவல் தொடர்பு அமைப்பை உருவாக்கியதுடன், NTT நிறுவனம் 2012-ல் 0.3 THz தகவல் தொடர்பு அமைப்பையும் உருவாக்கியது. தொடர்ச்சியான உகப்பாக்கத்தின் மூலம், பரிமாற்ற வேகத்தை 100 Gbps வரை உயர்த்த முடிந்தது. அட்டவணை 1-ல் இருந்து காணக்கூடியவாறு, இது டெராஹெர்ட்ஸ் தகவல் தொடர்பின் வளர்ச்சிக்கு ஒரு பெரும் பங்களிப்பைச் செய்துள்ளது. இருப்பினும், தற்போதைய இந்த ஆராய்ச்சிப் பணியானது குறைந்த இயக்க அதிர்வெண், பெரிய அளவு மற்றும் அதிக செலவு போன்ற குறைபாடுகளைக் கொண்டுள்ளது.
தற்போது பயன்படுத்தப்படும் பெரும்பாலான டெராஹெர்ட்ஸ் ஆண்டெனாக்கள், மில்லிமீட்டர் அலை ஆண்டெனாக்களிலிருந்து மாற்றியமைக்கப்பட்டவை ஆகும், மேலும் டெராஹெர்ட்ஸ் ஆண்டெனாக்களில் புதுமைகள் குறைவாகவே உள்ளன. எனவே, டெராஹெர்ட்ஸ் தகவல் தொடர்பு அமைப்புகளின் செயல்திறனை மேம்படுத்துவதற்காக, டெராஹெர்ட்ஸ் ஆண்டெனாக்களை உகந்ததாக்குவது ஒரு முக்கியமான பணியாகும். அட்டவணை 2, ஜெர்மன் THz தகவல் தொடர்பின் ஆராய்ச்சி முன்னேற்றத்தைப் பட்டியலிடுகிறது. படம் 3 (அ), ஒளியியல் மற்றும் மின்னணுவியலை இணைக்கும் ஒரு பிரதிநிதித்துவ THz கம்பியில்லா தகவல் தொடர்பு அமைப்பைக் காட்டுகிறது. படம் 3 (ஆ), காற்றுச் சுரங்க சோதனைக் காட்சியைக் காட்டுகிறது. ஜெர்மனியில் தற்போதைய ஆராய்ச்சி நிலவரத்தைக் கொண்டு பார்க்கும்போது, அதன் ஆராய்ச்சி மற்றும் மேம்பாட்டில் குறைந்த இயக்க அதிர்வெண், அதிக செலவு மற்றும் குறைந்த செயல்திறன் போன்ற குறைபாடுகளும் உள்ளன.
அட்டவணை 2 ஜெர்மனியில் THz தகவல்தொடர்பு ஆராய்ச்சியின் முன்னேற்றம்
படம் 3 காற்றுச் சுரங்க சோதனைக் காட்சி
சிஎஸ்ஐஆர்ஓ தகவல் தொடர்பு தொழில்நுட்ப மையம், டெராஹெர்ட்ஸ் (THz) உள்ளக கம்பியில்லாத் தொடர்பு அமைப்புகள் குறித்த ஆராய்ச்சியைத் தொடங்கியுள்ளது. படம் 4-இல் காட்டப்பட்டுள்ளபடி, இந்த மையம் ஆண்டுக்கும் தொடர்பு அதிர்வெண்ணுக்கும் இடையிலான உறவை ஆய்வு செய்தது. படம் 4-இலிருந்து காணக்கூடியவாறு, 2020-ஆம் ஆண்டளவில், கம்பியில்லாத் தொடர்புகள் மீதான ஆராய்ச்சி டெராஹெர்ட்ஸ் பட்டையை நோக்கிச் செல்கிறது. வானொலி அலைக்கற்றையைப் பயன்படுத்தும் அதிகபட்சத் தொடர்பு அதிர்வெண் ஒவ்வொரு இருபது ஆண்டுகளுக்கும் சுமார் பத்து மடங்கு அதிகரிக்கிறது. இந்த மையம், டெராஹெர்ட்ஸ் ஆண்டெனாக்களுக்கான தேவைகள் குறித்துப் பரிந்துரைகளை வழங்கியுள்ளதுடன், டெராஹெர்ட்ஸ் தொடர்பு அமைப்புகளுக்காக ஹார்ன்கள் மற்றும் லென்ஸ்கள் போன்ற பாரம்பரிய ஆண்டெனாக்களையும் முன்மொழிந்துள்ளது. படம் 5-இல் காட்டப்பட்டுள்ளபடி, இரண்டு ஹார்ன் ஆண்டெனாக்கள் முறையே 0.84 டெராஹெர்ட்ஸ் மற்றும் 1.7 டெராஹெர்ட்ஸ் அதிர்வெண்களில், எளிய கட்டமைப்பு மற்றும் சிறந்த காஸியன் கற்றை செயல்திறனுடன் செயல்படுகின்றன.
படம் 4 ஆண்டுக்கும் அதிர்வெண்ணுக்கும் இடையிலான தொடர்பு
RM-BDHA818-20A
ஆர்எம்-டிசிபிஹெச்ஏ105145-20
படம் 5 இரண்டு வகையான ஹார்ன் ஆண்டெனாக்கள்
டெராஹெர்ட்ஸ் அலைகளின் உமிழ்வு மற்றும் கண்டறிதல் குறித்து அமெரிக்கா விரிவான ஆராய்ச்சிகளை மேற்கொண்டுள்ளது. ஜெட் புரபல்ஷன் ஆய்வகம் (JPL), ஸ்டான்ஃபோர்ட் லீனியர் ஆக்சிலரேட்டர் மையம் (SLAC), அமெரிக்க தேசிய ஆய்வகம் (LLNL), தேசிய வானூர்தியியல் மற்றும் விண்வெளி நிர்வாகம் (NASA), தேசிய அறிவியல் அறக்கட்டளை (NSF) போன்றவை புகழ்பெற்ற டெராஹெர்ட்ஸ் ஆராய்ச்சி ஆய்வகங்களில் அடங்கும். டெராஹெர்ட்ஸ் பயன்பாடுகளுக்காக, போடை ஆண்டெனாக்கள் மற்றும் அதிர்வெண் கற்றை திசைதிருப்பும் ஆண்டெனாக்கள் போன்ற புதிய டெராஹெர்ட்ஸ் ஆண்டெனாக்கள் வடிவமைக்கப்பட்டுள்ளன. டெராஹெர்ட்ஸ் ஆண்டெனாக்களின் வளர்ச்சியின்படி, படம் 6-இல் காட்டப்பட்டுள்ளபடி, தற்போது டெராஹெர்ட்ஸ் ஆண்டெனாக்களுக்கான மூன்று அடிப்படை வடிவமைப்பு யோசனைகளை நாம் பெறலாம்.
படம் 6 டெராஹெர்ட்ஸ் ஆண்டெனாக்களுக்கான மூன்று அடிப்படை வடிவமைப்பு யோசனைகள்
மேற்கண்ட பகுப்பாய்வின்படி, பல நாடுகள் டெராஹெர்ட்ஸ் ஆண்டெனாக்களுக்கு அதிக கவனம் செலுத்தியிருந்தாலும், அது இன்னும் ஆரம்பகட்ட ஆய்வு மற்றும் மேம்பாட்டு நிலையில்தான் உள்ளது. அதிக பரவல் இழப்பு மற்றும் மூலக்கூறு உறிஞ்சுதல் காரணமாக, THz ஆண்டெனாக்கள் பொதுவாக பரிமாற்ற தூரம் மற்றும் பரப்பளவால் கட்டுப்படுத்தப்படுகின்றன. சில ஆய்வுகள் THz பட்டையில் உள்ள குறைந்த இயக்க அதிர்வெண்களில் கவனம் செலுத்துகின்றன. தற்போதுள்ள டெராஹெர்ட்ஸ் ஆண்டெனா ஆராய்ச்சி, முக்கியமாக மின்காப்பு லென்ஸ் ஆண்டெனாக்கள் போன்றவற்றைப் பயன்படுத்தி ஆதாயத்தை மேம்படுத்துவதிலும், பொருத்தமான நெறிமுறைகளைப் பயன்படுத்தி தகவல் தொடர்புத் திறனை மேம்படுத்துவதிலும் கவனம் செலுத்துகிறது. மேலும், டெராஹெர்ட்ஸ் ஆண்டெனா பேக்கேஜிங்கின் செயல்திறனை எவ்வாறு மேம்படுத்துவது என்பதும் ஒரு மிக அவசரமான பிரச்சினையாகும்.
பொதுவான THz ஆண்டெனாக்கள்
பல வகையான டெராஹெர்ட்ஸ் (THz) ஆண்டெனாக்கள் கிடைக்கின்றன: கூம்பு வடிவக் குழிகளைக் கொண்ட டைபோல் ஆண்டெனாக்கள், கார்னர் ரிஃப்ளெக்டர் அரேக்கள், போடை டைபோல்கள், மின்காப்பு லென்ஸ் பிளானர் ஆண்டெனாக்கள், டெராஹெர்ட்ஸ் கதிர்வீச்சு மூலங்களை உருவாக்கும் ஒளிக்கடத்தும் ஆண்டெனாக்கள், ஹார்ன் ஆண்டெனாக்கள், கிராஃபீன் பொருட்களை அடிப்படையாகக் கொண்ட டெராஹெர்ட்ஸ் ஆண்டெனாக்கள் போன்றவை. டெராஹெர்ட்ஸ் ஆண்டெனாக்களை உருவாக்கப் பயன்படுத்தப்படும் பொருட்களின் அடிப்படையில், அவற்றை தோராயமாக உலோக ஆண்டெனாக்கள் (முக்கியமாக ஹார்ன் ஆண்டெனாக்கள்), மின்காப்பு ஆண்டெனாக்கள் (லென்ஸ் ஆண்டெனாக்கள்) மற்றும் புதிய பொருள் ஆண்டெனாக்கள் எனப் பிரிக்கலாம். இந்தப் பிரிவு முதலில் இந்த ஆண்டெனாக்கள் பற்றிய ஒரு ஆரம்பநிலை பகுப்பாய்வை அளிக்கிறது, பின்னர் அடுத்த பிரிவில், ஐந்து பொதுவான டெராஹெர்ட்ஸ் ஆண்டெனாக்கள் விரிவாக அறிமுகப்படுத்தப்பட்டு ஆழமாகப் பகுப்பாய்வு செய்யப்படுகின்றன.
1. உலோக ஆண்டெனாக்கள்
ஹார்ன் ஆண்டெனா என்பது THz அலைவரிசையில் செயல்பட வடிவமைக்கப்பட்ட ஒரு வழக்கமான உலோக ஆண்டெனா ஆகும். ஒரு கிளாசிக் மில்லிமீட்டர் அலை ரிசீவரின் ஆண்டெனா ஒரு கூம்பு வடிவ ஹார்ன் ஆகும். நெளிவுள்ள மற்றும் இரட்டை-முறை ஆண்டெனாக்கள் சுழற்சி சமச்சீர் கதிர்வீச்சு வடிவங்கள், 20 முதல் 30 dBi வரையிலான உயர் ஆதாயம், -30 dB வரையிலான குறைந்த குறுக்கு-முனைவாக்க நிலை மற்றும் 97% முதல் 98% வரையிலான இணைப்புத் திறன் உள்ளிட்ட பல நன்மைகளைக் கொண்டுள்ளன. இரண்டு ஹார்ன் ஆண்டெனாக்களின் கிடைக்கக்கூடிய அலைவரிசை அகலங்கள் முறையே 30%-40% மற்றும் 6%-8% ஆகும்.
டெராஹெர்ட்ஸ் அலைகளின் அதிர்வெண் மிக அதிகமாக இருப்பதால், ஹார்ன் ஆண்டெனாவின் அளவு மிகவும் சிறியதாக உள்ளது. இது ஹார்னைச் செயலாக்குவதை, குறிப்பாக ஆண்டெனா வரிசைகளின் வடிவமைப்பில், மிகவும் கடினமாக்குகிறது. மேலும், செயலாக்கத் தொழில்நுட்பத்தின் சிக்கலானது அதிகப்படியான செலவுக்கும், வரையறுக்கப்பட்ட உற்பத்திக்கும் வழிவகுக்கிறது. சிக்கலான ஹார்ன் வடிவமைப்பின் அடிப்பகுதியைத் தயாரிப்பதில் உள்ள சிரமம் காரணமாக, பொதுவாக கூம்பு வடிவ ஹார்ன் போன்ற ஒரு எளிய ஹார்ன் ஆண்டெனா பயன்படுத்தப்படுகிறது. இது செலவையும் செயலாக்கச் சிக்கலையும் குறைப்பதோடு, ஆண்டெனாவின் கதிர்வீச்சு செயல்திறனையும் சிறப்பாகப் பராமரிக்கிறது.
மற்றொரு உலோக ஆண்டெனா, பயணிக்கும் அலை பிரமிடு ஆண்டெனா ஆகும். இது, படம் 7-இல் காட்டப்பட்டுள்ளபடி, ஒரு சிலிக்கான் தகட்டில் பொறிக்கப்பட்ட நீளவாட்டுக் குழிக்குள் தொங்கவிடப்பட்டு, 1.2 மைக்ரான் மின்காப்புப் படலத்தில் ஒருங்கிணைக்கப்பட்ட ஒரு பயணிக்கும் அலை ஆண்டெனாவைக் கொண்டுள்ளது. இந்த ஆண்டெனா, ஸ்காட்கி டையோடுகளுடன் இணக்கமான ஒரு திறந்த அமைப்பாகும். இதன் ஒப்பீட்டளவில் எளிமையான அமைப்பு மற்றும் குறைந்த உற்பத்தித் தேவைகள் காரணமாக, இதை பொதுவாக 0.6 THz-க்கு மேற்பட்ட அதிர்வெண் பட்டைகளில் பயன்படுத்த முடியும். இருப்பினும், இந்த ஆண்டெனாவின் பக்கமடல் மட்டமும் குறுக்கு-முனைவாக்க மட்டமும் அதிகமாக உள்ளன, இது அநேகமாக அதன் திறந்த அமைப்பின் காரணமாக இருக்கலாம். எனவே, இதன் இணைப்புத் திறன் ஒப்பீட்டளவில் குறைவாக உள்ளது (சுமார் 50%).
படம் 7 பயணிக்கும் அலை பிரமிடு ஆண்டெனா
2. மின்காப்பு ஆண்டெனா
மின்காப்பு ஆண்டெனா என்பது ஒரு மின்காப்பு அடித்தளம் மற்றும் ஒரு ஆண்டெனா கதிர்வீசி ஆகியவற்றின் கலவையாகும். சரியான வடிவமைப்பின் மூலம், மின்காப்பு ஆண்டெனாவானது உணரியுடன் மின்மறுப்புப் பொருத்தத்தை அடைய முடியும், மேலும் இது எளிய செயல்முறை, எளிதான ஒருங்கிணைப்பு மற்றும் குறைந்த செலவு போன்ற நன்மைகளைக் கொண்டுள்ளது. சமீபத்திய ஆண்டுகளில், டெராஹெர்ட்ஸ் மின்காப்பு ஆண்டெனாக்களின் குறைந்த மின்மறுப்பு உணரிகளுடன் பொருந்தக்கூடிய பல குறுகிய அலைவரிசை மற்றும் அகன்ற அலைவரிசை பக்கவாட்டு ஆண்டெனாக்களை ஆராய்ச்சியாளர்கள் வடிவமைத்துள்ளனர்: படம் 8-இல் காட்டப்பட்டுள்ளபடி, பட்டாம்பூச்சி ஆண்டெனா, இரட்டை U-வடிவ ஆண்டெனா, மடக்கை-காலமுறை ஆண்டெனா மற்றும் மடக்கை-காலமுறை சைனசாய்டல் ஆண்டெனா போன்றவை. மேலும், மரபணு வழிமுறைகள் மூலம் மிகவும் சிக்கலான ஆண்டெனா வடிவவியல்களை வடிவமைக்க முடியும்.
படம் 8 நான்கு வகையான தட்டையான ஆண்டெனாக்கள்
இருப்பினும், மின்காப்பு ஆண்டெனா ஒரு மின்காப்பு அடித்தளத்துடன் இணைக்கப்பட்டுள்ளதால், அதிர்வெண் THz பட்டையை நெருங்கும் போது ஒரு மேற்பரப்பு அலை விளைவு ஏற்படும். இந்த தவிர்க்க முடியாத குறைபாடு, ஆண்டெனா செயல்படும் போது அதிக ஆற்றலை இழக்கச் செய்து, அதன் கதிர்வீச்சுத் திறனில் குறிப்பிடத்தக்க குறைவுக்கு வழிவகுக்கும். படம் 9-இல் காட்டப்பட்டுள்ளபடி, ஆண்டெனாவின் கதிர்வீச்சுக் கோணம் துண்டிப்புக் கோணத்தை விட அதிகமாக இருக்கும்போது, அதன் ஆற்றல் மின்காப்பு அடித்தளத்தில் கட்டுப்படுத்தப்பட்டு, அடித்தளப் பயன்முறையுடன் இணைகிறது.
படம் 9 ஆண்டெனா மேற்பரப்பு அலை விளைவு
அடித்தளத்தின் தடிமன் அதிகரிக்கும்போது, உயர்-வரிசை அலைமுறைகளின் எண்ணிக்கை அதிகரித்து, ஆன்டெனாவுக்கும் அடித்தளத்துக்கும் இடையிலான இணைப்பும் அதிகரிக்கிறது. இதன் விளைவாக ஆற்றல் இழப்பு ஏற்படுகிறது. மேற்பரப்பு அலை விளைவைக் குறைப்பதற்காக, மூன்று உகப்பாக்கத் திட்டங்கள் உள்ளன:
1) மின்காந்த அலைகளின் கற்றை உருவாக்கும் பண்புகளைப் பயன்படுத்தி ஆதாயத்தை அதிகரிக்க, ஆன்டெனா மீது ஒரு லென்ஸைப் பொருத்தவும்.
2) மின்காந்த அலைகளின் உயர் வரிசை முறைகள் உருவாவதை அடக்குவதற்கு, அடித்தளத்தின் தடிமனைக் குறைக்கவும்.
3) அடி மூலக்கூறு மின்காப்புப் பொருளுக்குப் பதிலாக மின்காந்தப் பட்டை இடைவெளியைப் (EBG) பயன்படுத்தவும். EBG-யின் இடஞ்சார்ந்த வடிகட்டும் பண்புகள் உயர்-வரிசை அலைமுறைகளை அடக்கக் கூடியவை.
3. புதிய பொருள் ஆண்டெனாக்கள்
மேற்கூறிய இரண்டு ஆண்டெனாக்களுடன், புதிய பொருட்களால் செய்யப்பட்ட ஒரு டெராஹெர்ட்ஸ் ஆண்டெனாவும் உள்ளது. உதாரணமாக, 2006-ல், ஜின் ஹாவோ மற்றும் குழுவினர் ஒரு கார்பன் நானோகுழாய் இருமுனை ஆண்டெனாவை முன்மொழிந்தனர். படம் 10 (a)-வில் காட்டப்பட்டுள்ளபடி, இந்த இருமுனையானது உலோகப் பொருட்களுக்குப் பதிலாக கார்பன் நானோகுழாய்களால் ஆனது. அவர் கார்பன் நானோகுழாய் இருமுனை ஆண்டெனாவின் அகச்சிவப்பு மற்றும் ஒளியியல் பண்புகளைக் கவனமாக ஆய்வு செய்து, உள்ளீட்டு மின்மறுப்பு, மின்னோட்டப் பரவல், பெருக்கம், செயல்திறன் மற்றும் கதிர்வீச்சு வடிவம் போன்ற வரையறுக்கப்பட்ட நீளமுள்ள கார்பன் நானோகுழாய் இருமுனை ஆண்டெனாவின் பொதுவான பண்புகளைப் பற்றி விவாதித்தார். படம் 10 (b) கார்பன் நானோகுழாய் இருமுனை ஆண்டெனாவின் உள்ளீட்டு மின்மறுப்புக்கும் அதிர்வெண்ணுக்கும் இடையிலான தொடர்பைக் காட்டுகிறது. படம் 10(b)-ல் காணப்படுவது போல, உள்ளீட்டு மின்மறுப்பின் கற்பனைப் பகுதி உயர் அதிர்வெண்களில் பல பூஜ்ஜியங்களைக் கொண்டுள்ளது. இது, ஆண்டெனாவால் வெவ்வேறு அதிர்வெண்களில் பல ஒத்ததிர்வுகளை அடைய முடியும் என்பதைக் குறிக்கிறது. வெளிப்படையாக, கார்பன் நானோகுழாய் ஆண்டெனா ஒரு குறிப்பிட்ட அதிர்வெண் வரம்பிற்குள் (குறைந்த THz அதிர்வெண்கள்) ஒத்ததிர்வைக் காட்டுகிறது, ஆனால் இந்த வரம்பிற்கு வெளியே ஒத்ததிர்வு செய்ய முற்றிலும் இயலாது.
படம் 10 (அ) கார்பன் நானோகுழாய் இருமுனை ஆன்டெனா. (ஆ) உள்ளீட்டு மின்மறுப்பு-அதிர்வெண் வளைவு
2012-ல், சமீர் எஃப். மஹ்மூத் மற்றும் ஆயத் ஆர். அல்அஜ்மி ஆகியோர், இரண்டு மின்காப்பு அடுக்குகளால் சுற்றப்பட்ட கார்பன் நானோகுழாய்களின் ஒரு கற்றையைக் கொண்ட, கார்பன் நானோகுழாய்களை அடிப்படையாகக் கொண்ட ஒரு புதிய டெராஹெர்ட்ஸ் ஆண்டெனா கட்டமைப்பை முன்மொழிந்தனர். உள் மின்காப்பு அடுக்கு ஒரு மின்காப்பு நுரை அடுக்காகவும், வெளி மின்காப்பு அடுக்கு ஒரு மெட்டாமீட்டீரியல் அடுக்காகவும் உள்ளது. இந்தக் குறிப்பிட்ட கட்டமைப்பு படம் 11-ல் காட்டப்பட்டுள்ளது. சோதனைகள் மூலம், ஒற்றைச் சுவர் கார்பன் நானோகுழாய்களுடன் ஒப்பிடும்போது இந்த ஆண்டெனாவின் கதிர்வீச்சு செயல்திறன் மேம்படுத்தப்பட்டுள்ளது.
படம் 11 கார்பன் நானோகுழாய்களை அடிப்படையாகக் கொண்ட புதிய டெராஹெர்ட்ஸ் ஆண்டெனா
மேலே முன்மொழியப்பட்ட புதிய டெராஹெர்ட்ஸ் ஆண்டெனாக்கள் முக்கியமாக முப்பரிமாணமானவை. ஆண்டெனாவின் அலைவரிசையை மேம்படுத்தவும், இணக்கமான ஆண்டெனாக்களை உருவாக்கவும், தள கிராஃபீன் ஆண்டெனாக்கள் பரவலான கவனத்தைப் பெற்றுள்ளன. கிராஃபீன் சிறந்த டைனமிக் தொடர்ச்சியான கட்டுப்பாட்டுப் பண்புகளைக் கொண்டுள்ளது மற்றும் சார்பு மின்னழுத்தத்தைச் சரிசெய்வதன் மூலம் மேற்பரப்பு பிளாஸ்மாவை உருவாக்க முடியும். நேர்மறை மின்காப்பு மாறிலி கொண்ட அடி மூலக்கூறுகளுக்கும் (Si, SiO2 போன்றவை) மற்றும் எதிர்மறை மின்காப்பு மாறிலி கொண்ட அடி மூலக்கூறுகளுக்கும் (விலைமதிப்பற்ற உலோகங்கள், கிராஃபீன் போன்றவை) இடையேயான இடைமுகத்தில் மேற்பரப்பு பிளாஸ்மா உள்ளது. விலையுயர்ந்த உலோகங்கள் மற்றும் கிராஃபீன் போன்ற கடத்திகளில் அதிக எண்ணிக்கையிலான "கட்டற்ற எலக்ட்ரான்கள்" உள்ளன. இந்த கட்டற்ற எலக்ட்ரான்கள் பிளாஸ்மாக்கள் என்றும் அழைக்கப்படுகின்றன. கடத்தியில் உள்ள உள்ளார்ந்த மின்னழுத்தப் புலம் காரணமாக, இந்த பிளாஸ்மாக்கள் ஒரு நிலையான நிலையில் உள்ளன மற்றும் வெளிப்புற உலகத்தால் தொந்தரவு செய்யப்படுவதில்லை. படுகின்ற மின்காந்த அலை ஆற்றல் இந்த பிளாஸ்மாக்களுடன் இணைக்கப்படும்போது, பிளாஸ்மாக்கள் நிலையான நிலையிலிருந்து விலகி அதிர்வுறும். இந்த மாற்றத்திற்குப் பிறகு, மின்காந்த அலை இடைமுகத்தில் ஒரு குறுக்கு காந்த அலையை உருவாக்குகிறது. டிரூட் மாதிரியின் மூலம் உலோக மேற்பரப்பு பிளாஸ்மாவின் சிதறல் உறவை விவரிப்பதன் படி, உலோகங்களால் வெற்றிடத்தில் மின்காந்த அலைகளுடன் இயல்பாக இணைந்து ஆற்றலை மாற்ற முடியாது. மேற்பரப்பு பிளாஸ்மா அலைகளைத் தூண்டுவதற்கு மற்ற பொருட்களைப் பயன்படுத்துவது அவசியம். உலோகம்-அடி மூலக்கூறு இடைமுகத்தின் இணையான திசையில் மேற்பரப்பு பிளாஸ்மா அலைகள் வேகமாகச் சிதைவடைகின்றன. உலோகக் கடத்தி மேற்பரப்பிற்குச் செங்குத்தான திசையில் கடத்தும் போது, ஒரு தோல் விளைவு (skin effect) ஏற்படுகிறது. வெளிப்படையாக, ஆண்டெனாவின் சிறிய அளவு காரணமாக, உயர் அதிர்வெண் பட்டையில் ஒரு தோல் விளைவு ஏற்படுகிறது, இது ஆண்டெனாவின் செயல்திறனைக் கடுமையாகக் குறைத்து, டெராஹெர்ட்ஸ் ஆண்டெனாக்களின் தேவைகளைப் பூர்த்தி செய்ய முடியாமல் செய்கிறது. கிராஃபீனின் மேற்பரப்பு பிளாஸ்மான் அதிக பிணைப்பு விசை மற்றும் குறைந்த இழப்பைக் கொண்டிருப்பது மட்டுமல்லாமல், தொடர்ச்சியான மின்சார சரிசெய்தலையும் ஆதரிக்கிறது. கூடுதலாக, கிராஃபீன் டெராஹெர்ட்ஸ் பட்டையில் சிக்கலான கடத்துத்திறனைக் கொண்டுள்ளது. எனவே, மெதுவான அலை பரவல் டெராஹெர்ட்ஸ் அதிர்வெண்களில் பிளாஸ்மா பயன்முறையுடன் தொடர்புடையது. இந்த பண்புகள் டெராஹெர்ட்ஸ் பட்டையில் உலோகப் பொருட்களுக்குப் பதிலாக கிராஃபீனைப் பயன்படுத்துவதற்கான சாத்தியக்கூறுகளை முழுமையாக நிரூபிக்கின்றன.
கிராஃபீன் மேற்பரப்பு பிளாஸ்மான்களின் முனைவாக்கப் பண்புகளின் அடிப்படையில், படம் 12 ஒரு புதிய வகை பட்டை ஆண்டெனாவைக் காட்டுகிறது, மேலும் கிராஃபீனில் பிளாஸ்மா அலைகளின் பரவல் பண்புகளின் பட்டை வடிவத்தை முன்மொழிகிறது. சரிசெய்யக்கூடிய ஆண்டெனா பட்டையின் வடிவமைப்பு, புதிய பொருள் டெராஹெர்ட்ஸ் ஆண்டெனாக்களின் பரவல் பண்புகளை ஆய்வு செய்ய ஒரு புதிய வழியை வழங்குகிறது.
படம் 12 புதிய பட்டை ஆண்டெனா
புதிய வகை டெராஹெர்ட்ஸ் ஆண்டெனா கூறுகளை ஆராய்வதோடு, டெராஹெர்ட்ஸ் பல-உள்ளீடு பல-வெளியீடு ஆண்டெனா தகவல் தொடர்பு அமைப்புகளை உருவாக்குவதற்காக, கிராஃபீன் நானோபேட்ச் டெராஹெர்ட்ஸ் ஆண்டெனாக்களை வரிசைகளாகவும் வடிவமைக்க முடியும். ஆண்டெனாவின் கட்டமைப்பு படம் 13-இல் காட்டப்பட்டுள்ளது. கிராஃபீன் நானோபேட்ச் ஆண்டெனாக்களின் தனித்துவமான பண்புகளின் அடிப்படையில், ஆண்டெனா கூறுகள் மைக்ரான் அளவிலான பரிமாணங்களைக் கொண்டுள்ளன. வேதியியல் ஆவிப் படிவு முறையானது, ஒரு மெல்லிய நிக்கல் அடுக்கின் மீது வெவ்வேறு கிராஃபீன் பிம்பங்களை நேரடியாக உருவாக்கி, அவற்றை எந்தவொரு அடி மூலக்கூறுக்கும் மாற்றுகிறது. பொருத்தமான எண்ணிக்கையிலான கூறுகளைத் தேர்ந்தெடுத்து, நிலைமின்னியல் சார்பு மின்னழுத்தத்தை மாற்றுவதன் மூலம், கதிர்வீச்சின் திசையைத் திறம்பட மாற்ற முடியும், இது அமைப்பை மறுசீரமைக்கக்கூடியதாக ஆக்குகிறது.
படம் 13 கிராஃபீன் நானோபேட்ச் டெராஹெர்ட்ஸ் ஆண்டெனா வரிசை
புதிய பொருட்களின் ஆராய்ச்சி என்பது ஒப்பீட்டளவில் ஒரு புதிய திசையாகும். பொருட்களின் புத்தாக்கமானது, பாரம்பரிய ஆண்டெனாக்களின் வரம்புகளை உடைத்து, மறுவடிவமைக்கக்கூடிய மெட்டாமெட்டீரியல்கள், இரு பரிமாண (2D) பொருட்கள் போன்ற பல்வேறு புதிய ஆண்டெனாக்களை உருவாக்கும் என்று எதிர்பார்க்கப்படுகிறது. இருப்பினும், இந்த வகை ஆண்டெனா முக்கியமாக புதிய பொருட்களின் புத்தாக்கம் மற்றும் செயல்முறை தொழில்நுட்பத்தின் முன்னேற்றத்தைச் சார்ந்துள்ளது. எப்படியாயினும், டெராஹெர்ட்ஸ் ஆண்டெனாக்களின் உயர் ஆதாயம், குறைந்த விலை மற்றும் பரந்த அலைவரிசைத் தேவைகளைப் பூர்த்தி செய்ய, அவற்றின் வளர்ச்சிக்கு புத்தாக்கமான பொருட்கள், துல்லியமான செயலாக்கத் தொழில்நுட்பம் மற்றும் புதுமையான வடிவமைப்பு கட்டமைப்புகள் தேவைப்படுகின்றன.
பின்வருபவை, உலோக ஆண்டெனாக்கள், மின்காப்பு ஆண்டெனாக்கள் மற்றும் புதிய மூலப்பொருள் ஆண்டெனாக்கள் ஆகிய மூன்று வகையான டெராஹெர்ட்ஸ் ஆண்டெனாக்களின் அடிப்படைக் கொள்கைகளை அறிமுகப்படுத்துவதோடு, அவற்றின் வேறுபாடுகள், நன்மைகள் மற்றும் தீமைகளையும் பகுப்பாய்வு செய்கின்றன.
1. உலோக ஆண்டெனா: இதன் வடிவம் எளிமையானது, செயலாக்க எளிதானது, ஒப்பீட்டளவில் குறைந்த செலவுடையது, மற்றும் அடி மூலக்கூறு பொருட்களுக்கான தேவைகள் குறைவு. இருப்பினும், உலோக ஆண்டெனாக்கள், ஆண்டெனாவின் நிலையைச் சரிசெய்ய ஒரு இயந்திர முறையைப் பயன்படுத்துகின்றன, இது பிழைகள் ஏற்பட வாய்ப்புள்ளது. சரிசெய்தல் சரியாக இல்லாவிட்டால், ஆண்டெனாவின் செயல்திறன் பெருமளவில் குறைந்துவிடும். உலோக ஆண்டெனா அளவில் சிறியதாக இருந்தாலும், அதை ஒரு தளச் சுற்றுடன் இணைப்பது கடினம்.
2. மின்காப்பு ஆண்டெனா: மின்காப்பு ஆண்டெனா குறைந்த உள்ளீட்டு மின்மறுப்பைக் கொண்டுள்ளது, குறைந்த மின்மறுப்பு உணரியுடன் எளிதில் பொருந்துகிறது, மேலும் ஒரு தளச் சுற்றுடன் இணைப்பது ஒப்பீட்டளவில் எளிமையானது. மின்காப்பு ஆண்டெனாக்களின் வடிவியல் வடிவங்களில் பட்டாம்பூச்சி வடிவம், இரட்டை U வடிவம், வழக்கமான மடக்கை வடிவம் மற்றும் மடக்கை காலமுறை சைன் வடிவம் ஆகியவை அடங்கும். இருப்பினும், மின்காப்பு ஆண்டெனாக்களிலும் ஒரு பெரிய குறைபாடு உள்ளது, அதாவது தடிமனான அடி மூலக்கூறால் ஏற்படும் மேற்பரப்பு அலை விளைவு. இதற்கான தீர்வு, ஒரு லென்ஸைப் பொருத்தி, மின்காப்பு அடி மூலக்கூறை EBG அமைப்புடன் மாற்றுவதாகும். இந்த இரண்டு தீர்வுகளுக்கும் செயல்முறை தொழில்நுட்பம் மற்றும் பொருட்களின் புத்தாக்கம் மற்றும் தொடர்ச்சியான மேம்பாடு தேவைப்படுகிறது, ஆனால் அவற்றின் சிறந்த செயல்திறன் (அனைத்து திசைகளிலும் செயல்படும் தன்மை மற்றும் மேற்பரப்பு அலை அடக்குதல் போன்றவை) டெராஹெர்ட்ஸ் ஆண்டெனாக்களின் ஆராய்ச்சிக்கு புதிய யோசனைகளை வழங்க முடியும்.
3. புதிய மூலப்பொருள் ஆண்டெனாக்கள்: தற்சமயம், கார்பன் நானோகுழாய்களால் ஆன புதிய இருமுனை ஆண்டெனாக்களும், மீபொருட்களால் ஆன புதிய ஆண்டெனா கட்டமைப்புகளும் தோன்றியுள்ளன. புதிய மூலப்பொருட்கள் செயல்திறனில் புதிய திருப்புமுனைகளைக் கொண்டுவர முடியும், ஆனால் அதற்கான அடிப்படை மூலப்பொருள் அறிவியல் புத்தாக்கமே ஆகும். தற்சமயம், புதிய மூலப்பொருள் ஆண்டெனாக்கள் மீதான ஆராய்ச்சி இன்னும் ஆய்வு நிலையிலேயே உள்ளது, மேலும் பல முக்கிய தொழில்நுட்பங்கள் போதுமான முதிர்ச்சி அடையவில்லை.
சுருக்கமாக, வடிவமைப்புத் தேவைகளுக்கு ஏற்ப பல்வேறு வகையான டெராஹெர்ட்ஸ் ஆண்டெனாக்களைத் தேர்ந்தெடுக்கலாம்:
1) எளிமையான வடிவமைப்பும் குறைந்த உற்பத்திச் செலவும் தேவைப்பட்டால், உலோக ஆண்டெனாக்களைத் தேர்ந்தெடுக்கலாம்.
2) அதிக ஒருங்கிணைப்பும் குறைந்த உள்ளீட்டு மின்மறுப்பும் தேவைப்பட்டால், மின்காப்பு ஆண்டெனாக்களைத் தேர்ந்தெடுக்கலாம்.
3) செயல்திறனில் ஒரு திருப்புமுனை தேவைப்பட்டால், புதிய மூலப்பொருட்களால் ஆன ஆண்டெனாக்களைத் தேர்ந்தெடுக்கலாம்.
மேற்கூறிய வடிவமைப்புகளை குறிப்பிட்ட தேவைகளுக்கு ஏற்ப மாற்றியமைக்கவும் முடியும். உதாரணமாக, கூடுதல் நன்மைகளைப் பெறுவதற்காக இரண்டு வகையான ஆண்டெனாக்களை இணைக்கலாம், ஆனால் அவற்றை ஒன்றிணைக்கும் முறையும் வடிவமைப்புத் தொழில்நுட்பமும் மிகவும் கடுமையான தேவைகளைப் பூர்த்தி செய்ய வேண்டும்.
ஆண்டெனாக்கள் பற்றி மேலும் அறிந்துகொள்ள, தயவுசெய்து பார்வையிடவும்:
பதிவிட்ட நேரம்: ஆகஸ்ட் 02, 2024
